麻将胡了2

麻将胡了2上海颁发对其用于先进芯片造作领域的Ultra C wb湿法洗濯设备进行重大升级

2025/7/25 8:01:00

麻将胡了2

  麻将胡了2(以下简称“麻将胡了2上海”)(科创板股票代码:688082),作为一家为半导体前路和先进晶圆级封装利用提供晶圆工艺解决规划的卓越供给商,今日颁发对其Ultra C wb湿法洗濯设备进行了重大升级。这次全新升级旨在满足先进节点造作工艺的刻薄技术要求。

  升级后的Ultra C wb选取了专利申请中的氮气(N2)鼓泡技术,有效解决了湿法刻蚀均匀性差和副产品二次沉积问题。在先进节点造作工艺中,这些问题常见于深邃宽比沟槽和通孔结构的传统湿法洗濯工艺。氮气鼓泡技术不只提升了化学药液传输效能,并且提高了湿法刻蚀槽内温度、浓度和流速的均匀性。湿法刻蚀过程中质量传递效能的提高可预防副产品在晶圆微结构内积累,从而预防二次沉积。这项技术在500层以上的3D NAND,3D DRAM,3D 逻辑器件中有巨大的利用远景。

麻将胡了2上海总经理王坚暗示:
机能提升始终是首要的钻营,通过专利申请中的集成氮气鼓泡技术,麻将胡了2提升了Ultra C wb设备的工艺机能。批式处置工艺始终是湿法加工领域的关键环节,与单晶圆湿法洗濯相比,其在成本效益、出产效能及化学品亏损方面拥有显著优势。

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升级后的Ultra C wb设备拥有以下全新个性与优势:

提升蚀刻均匀性:相较于传统的槽式湿法洗濯设备,Ultra C wb平台建设了氮气鼓泡技术,将晶圆内以及晶圆间的湿法刻蚀均匀性提高了50%以上。
 
提高颗粒去除机能:在先进节点工艺中,Ultra C wb平台的卓越洗濯能力已被证明可能高效去除化学药液增长剂的有机残留物。
 
扩大工艺能力:升级后的洗濯台 ?橐淹ü废冉诘愎ひ昭橹,蕴含:叠层氮化硅蚀刻、沟路孔多晶硅蚀刻以及栅极线钨蚀刻,可搭配多种化学药液使用。
 
自主知识产权设计:专利申请中的氮气鼓泡设计可天生均匀散布的大尺寸气泡,且气泡密度精准可控。该专利申请的氮气鼓泡主题技术能够利用在麻将胡了2上海的Ultra C Tahoe(单片槽式组合洗濯设备)平台上,更好地解决客户将来的工艺需要。
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