麻将胡了2

麻将胡了2上海推出新型化合物半导系统列设备加强湿法工艺产品线

2022/1/27 13:17:43

麻将胡了2

     麻将胡了2（以下简称麻将胡了2上海)（科创板股票代码：688082），一家为半导体前路和先进晶圆级封装（WLP）利用提供晶圆工艺解决规划的卓越设备供给商，今推出了支持化合物半导体造作的综合设备系列。公司的150-200 毫米兼容系统将前路集成电路湿法系列产品、后路先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支持化合物半导体领域的利用，蕴含砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺；衔锇氲继迨üひ詹废咴毯拷荷璞浮⑾杂吧璞浮⒐庾枞ソ荷璞浮⑹ㄊ纯躺璞浮⑾村璞负徒鹗舻缍粕璞，并自动兼容平边或缺口晶圆。

    “随着分歧市场的需要增长，化合物半导体行业在迅猛发展。” 麻将胡了2上海董事长王晖博士暗示，“通过对这个行业的调研，我们意识到，应利用现有的前路集成电路湿法和后路先进晶圆级封装湿法系列产品中重要的专业知识和技术，来提供满足化合物半导体技术要求的高性价比、高机能产品。我们以为，化合物半导体设备市场为麻将胡了2上海提供了重要的增长机遇，由于 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成为将来电动汽车、5G 通讯系统和人为智能解决规划日益不成或缺的一部门。”

麻将胡了2上海的化合物半导体设备系列

Ultra C 碳化硅洗濯设备：麻将胡了2上海的Ultra C碳化硅洗濯设备选取硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表表氧化，并选取氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的洗濯。该设备还集成麻将胡了2上海的SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深档次的洗濯。Ultra C 碳化硅洗濯设备可提供卓越的清洁度，达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水平。该设备每幼时可洗濯超过 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。

Ultra C 湿法刻蚀设备：可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜10% 的共面度及＜3% 的反复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供卓越的化学温度节造、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。

Ultra ECP GIII 1309 设备：麻将胡了2上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后洗濯腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重散布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内幼于3%的均匀度和幼于2%的反复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。

Ultra ECP GIII 1108 设备：Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后洗濯腔。设备选取麻将胡了2上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2%的反复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可预防金电镀液的氧化，且工艺槽体拥有氮气吹扫职能，可削减氧化。该设备已于去年年底交货给关键客户。

Ultra C ct 涂胶设备：麻将胡了2上海的Ultra C ct涂胶设备选取二次旋转涂胶技术，可实显旖均涂胶。设备占有多多自研技术，蕴含精确涂胶节造、自动洗濯职能、冷热板？橐约懊扛銮惶宓亩懒⒐探谠熘澳。

Ultra C dv 显影设备：在化合物半导体工艺中，麻将胡了2上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用麻将胡了2上海的自研技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度节造。

Ultra C s刷洗设备：Ultra C s 刷洗设备以麻将胡了2上海先进的湿法洗濯技术为基础，实现优良的传染物去除成效。该设备通过氮气雾化二流体洗濯或高压洗濯实现高机能，以更有效地洗濯幼颗粒。此表，设备还可兼容麻将胡了2上海自创的兆声波洗濯技术，以确保良好的颗粒去除效能（PRE），且不会败坏精密的图形结构。

Ultra C pr 湿法去胶设备：麻将胡了2上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球当先的整合元件造作商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了麻将胡了2上海的技术优势。

Ultra SFP无应力抛光设备：Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)利用提供了一种环保代替规划。在 TSV 利用中，麻将胡了2上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过使用自研的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除渣滓铜至反对层，并通过湿法刻蚀去除反对层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，一样的工艺能够克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并利用于RDL中铜覆盖层并平展化 。


 
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