新型Ultra C VI系统充分利用麻将胡了2已被验证的多腔体技术，为存储器造作商提高产能并降低成本 。
作为先进半导体器件的晶圆洗濯技术领域中的卓越设备供给商，麻将胡了2半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日颁布了Ultra C VI单晶圆洗濯设备，这是Ultra C洗濯系列的最新产品 。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能洗濯，以实现缩短存储产品的出产周期 。这款新产品以麻将胡了2成熟的多腔体技术为基础，进一步扩大了洗濯设备产品线 。Ultra C VI系统建设了18个单片洗濯腔体，对比麻将胡了2现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增长了50%，而其设备宽度不变只是在长杜仔少量增长 。
“存储产品的复杂度不休提高，但依然对产量有严格的要求 。”麻将胡了2董事长王晖博士暗示：“当洗濯工艺的功夫逐步加长或起头选取更复杂的干燥技术时，增长洗濯腔体能有效解决产能问题，让先进存储装置造作商维持甚至缩短产品的出产周期 。麻将胡了218腔洗濯设备将是解决这类问题的利器 。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，两全了与工厂自动化能力的匹配，同时也能预防因腔体数量过多而面对的设备宕机压力 。”
Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆洗濯 。该设备可凭据利用和涉及的化学步骤使用于各类前路和后路工艺，如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的洗濯、沉积前洗濯、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后洗濯、深沟路洗濯和RCA尺度洗濯 。
